Guangmai Technology is professioneel in het maken van de 810nm IR high power LED 1-3W Epileds-chip.
Elektrische prestaties
De diameter van 3 mm, 5 mm is een infrarood-emitterende buis met laag vermogen. En 8 mm, 10 mm zijn medium power en high power zendbuizen. De voorwaartse spanning van de zenderbuis met laag vermogen: 1.1-1.5V, stroom 20mA. De voorwaartse spanning van de medium power zendbuis: 1.4-1.65V, stroom 50-100mA. High-power zenderbuis voorwaartse spanning: 1.5-1.9V, stroom 200-350mA. GMKJ LED maakt 1-10W krachtige infrarood-emitterende buis die kan worden gebruikt in infraroodbewakingsverlichting.
Directionele kenmerken:
De emissie-intensiteit van infrarood licht-emitterende diodes varieert met de emissierichting. Wanneer de richtingshoek nul graden is, wordt de stralingsintensiteit gedefinieerd als 100%. Wanneer de richtingshoek groter is, wordt de stralingsintensiteit relatief verminderd. Als de stralingsintensiteit de helft is van de richtingshoek vanaf de optische as, is de waarde de helft van de piekwaarde. Deze hoek wordt de richtings-halfwaardehoek genoemd. Hoe kleiner de hoek, hoe gevoeliger de gerichtheid van het onderdeel. Over het algemeen zijn infrarood lichtgevende diodes uitgerust met lenzen om hun gerichtheid gevoeliger te maken
Afstandskenmerken
De stralingsintensiteit van infrarood licht emitterende diodes varieert afhankelijk van de afstand op de optische as en varieert ook met verschillende lichtontvangende elementen. De verandering in de hoeveelheid invallend licht van het lichtontvangende element en de afstand tot de infrarood licht uitzendende buis vertonen bepaalde kenmerken. In principe is de lichtmeting omgekeerd evenredig met het kwadraat van de afstand en is gerelateerd aan de verschillende kenmerken van het lichtontvangende element.
Wanneer het infrarood wordt uitgezonden om het overeenkomstige bestuurde apparaat te besturen, is de afstand die hierdoor wordt bestuurd evenredig met het emissievermogen. Om de regelafstand van infrarood licht te vergroten, werken infraroodlichtdioden in een gepulseerde toestand, omdat de effectieve transmissieafstand van pulserend licht (gemoduleerd licht) evenredig is met de piekstroom van de puls en de emissieafstand van infrarood licht kan worden vergroot door de piekwaarde Ip zoveel mogelijk te verhogen. De manier om Ip te verhogen is door de puls-duty cycle te verminderen, dat wil zeggen door de pulsbreedte T te comprimeren. Over het algemeen is de werkfrequentie lager dan 300 kHz.
Ontvangstmethode:
Er zijn twee manieren om infraroodstralen uit te zenden en te ontvangen, de ene is van het directe type en de andere van het reflectietype. Direct type betekent dat de lichtgevende buis en de ontvangende buis relatief aan de twee uiteinden van de zender en het gecontroleerde object zijn geplaatst, met een bepaalde afstand tussen het midden; het reflecterende type betekent dat de lichtgevende buis en de ontvangende buis naast elkaar zijn geplaatst, meestal is de ontvangende buis altijd zonder licht, alleen in het infrarood dat door de lichtgevende buis wordt uitgezonden. Wanneer het licht de reflector raakt, zal de ontvangende buis alleen werken na ontvangen van het gereflecteerde infrarood licht.
High Power IR LED-chip 1W 3W infraroodPakketgrootte:
810nm IR high power LED 1-3W Epileds-chipsollicitatie
Over Guangmai LED/GMKJ LED:
Data papier:
Neem voor meer informatie rechtstreeks contact op met Guangmai Tech.
U kunt de downloadenEngelse versie datasheetof810nm IR high power LED 1-3W Epileds-chip uit de kop van deze pagina.
Populaire tags: 810nm ir high power led 1-3w epileds-chip, China, fabrikanten, leveranciers, fabriek, prijs, goedkoop, offerte, datasheet, specificaties, specificatie
